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BUZ100SLE3045

更新时间： 2024-02-09 23:32:02

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
14页	606K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 70A I(D) \| TO-263AB

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BUZ100SLE3045 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	380 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	最大漏极电流 (ID)：	70 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	170 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ100SLE3045A	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ100SQ67040W4001A2	ETC	获取价格	TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET
BUZ101	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r
BUZ101L	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)
BUZ101S	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated)
BUZ101SE3045	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-263AB
BUZ101SE3045A	ETC	获取价格	N-Channel Enhancement MOSFET
BUZ101SL	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated)
BUZ101SL4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 4.1A I(D) \| SO
BUZ101SL-4	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t