BUZ101SL

更新时间： 2024-01-11 09:58:50

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描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated)

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BUZ101SL 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.44
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BUZ101SL 数据手册

BUZ 101 SL

SPP20N05L

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• Avalanche-rated

• dv/dt rated

• 175°C operating temperature

• also in SMD available

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

V_DS

I_D

R_DS(on

)

BUZ 101 SL

55 V

20 A

0.07

TO-220 AB

Q67040-S4012-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

T = 100 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

I = 20 A, V = 25 V, R = 25

L = 450 µH, T = 25 °C

5.5

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Reverse diode dv/dt

jmax

dv/dt

kV/µs

I = 20 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs

= 175 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

29/Jan/1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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