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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUZ101SLE3045A
BUZ101SLE3045A PDF预览

BUZ101SLE3045A

更新时间： 2024-01-25 03:40:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated)

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BUZ101SLE3045A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUZ101SLE3045A 数据手册

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BUZ 101 SL  
SPP20N05L  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
• 175°C operating temperature  
• also in SMD available  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
Package  
Ordering Code  
VDS  
ID  
RDS(on  
)
W
BUZ 101 SL  
55 V  
20 A  
0.07  
TO-220 AB  
Q67040-S4012-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
20  
14  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
80  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
W
I = 20 A, V = 25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 450 µH, T = 25 °C  
90  
20  
5.5  
j
Avalanche current,limited by T  
I
A
jmax  
AR  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
E
mJ  
jmax  
AR  
dv/dt  
kV/µs  
I = 20 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
±
14  
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
55  
C
Semiconductor Group  
1
29/Jan/1998  
12345678

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