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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUZ101SL-4
BUZ101SL-4 PDF预览

BUZ101SL-4

更新时间： 2024-01-14 18:14:52
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated)

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BUZ101SL-4 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G28针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：4.1 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G28
元件数量：4端子数量：28
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16.4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ101SL-4 数据手册

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BUZ 101SL-4  
Preliminary data  
®
SIPMOS Power Transistor  
• Quad-channel  
• Enhancement mode  
• Logic level  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
Type  
V
I
R
Package  
P-DSO-28  
Ordering Code  
DS  
D
DS(on)  
Ω
BUZ 101SL-4 55 V  
4.1 A  
0.075  
C67078-S. . . .- . .  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
4.1  
Unit  
Continuous drain current one channel active  
I
A
D
T = 25 °C  
A
Pulsed drain current one channel active  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
16.4  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
I = 4.1 A, V = 25 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 10.7 mH, T = 25 °C  
90  
j
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 4.1 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
±
Gate source voltage  
Power dissipation ,one channel active  
V
P
14  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
2.4  
A
Operating temperature  
T
-55 ... + 175 °C  
-55 ... + 175  
j
Storage temperature  
T
stg  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
55 / 175 / 56  
Semiconductor Group  
1
02/Oct/1997  
12345678

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