是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.8 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 8 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUV20 | ONSEMI |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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BUV20 | MOTOROLA |
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50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS |
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BUV20 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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BUV20 | SEME-LAB |
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NPN MULTI - EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
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BUV20 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 125V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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BUV20/D | ETC |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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BUV20D | ONSEMI |
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SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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BUV21 | MOTOROLA |
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40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 250 WATTS |
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BUV21 | ONSEMI |
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SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
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BUV21 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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