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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 255 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP299H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSP299H6327XUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSP299Q67000-S225 | INFINEON |
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TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
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| BSP30 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BSP30 | STMICROELECTRONICS |
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MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| BSP300 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BSP300_08 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor |
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| BSP300E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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