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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.15 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.19 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 20 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.76 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP324 | INFINEON |
类似代替  |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) |
|
| BSP129 | INFINEON |
类似代替 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
|
| BSP125 | INFINEON |
类似代替 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP300_08 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor |
|
| BSP300E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300H6327XUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300L6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300L6327HUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP300L6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP304 | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
|
| BSP304A | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
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