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BSP324

更新时间: 2025-07-20 22:39:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)

BSP324 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.28
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.17 A
最大漏极电流 (ID):0.17 A最大漏源导通电阻:25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM):0.68 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSP324 数据手册

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BSP 324  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
V  
= 1.5 ...2.5 V  
GS(th)  
Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4  
G
D
S
D
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
BSP 324  
400 V  
0.17 A  
25  
SOT-223  
BSP 324  
Type  
Ordering Code  
Tape and Reel Information  
BSP 324  
Q67000-S215  
E6327  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
400  
V
DS  
DGR  
R
= 20 k  
400  
GS  
±
14  
Gate source voltage  
V
V
GS  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Continuous drain current  
± 20  
0.17  
0.68  
1.7  
gs  
I
A
D
T = 33 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
A
Semiconductor Group  
1
Sep-12-1996  

BSP324 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSP135 INFINEON

完全替代

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
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类似代替

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类型:N沟道;元器件封装:PG-SOT223-4;
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BSP324H6327XTSA1 INFINEON

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漏源电压Vdss(V):400 V ;额定电流Id(A):170mA(Ta) ;最大导通阻
BSP324L6327 INFINEON

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SIPMOS Power-Transistor
BSP324L6327HTSA1 INFINEON

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元器件封装:PG-SOT223-4;
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