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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.13 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 20 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 650 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCP53-10T1G | ONSEMI |
功能相似  |
PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT |
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| BF720T1G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN Silicon Transistor |
|
| BCP53TA | DIODES |
功能相似 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP31,115 | NXP |
获取价格 |
BSP31 - 60 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
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| BSP3-120 | ETC |
获取价格 |
3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced |
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| BSP315 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSP315E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP315E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP315P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP315P | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| BSP315P_07 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSP315P-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSÃ Small-Signal-Transistor |
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| BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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