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BSP316P

更新时间: 2024-11-05 22:39:39
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8页 85K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP316P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.26
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.68 A最大漏极电流 (ID):0.68 A
最大漏源导通电阻:1.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):2.72 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSP316P 数据手册

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Preliminary data  
BSP 316 P  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
-100  
1.8  
V
A
DS  
P-Channel  
Enhancement mode  
Logic Level  
dv/dt rated  
R
DS(on)  
I
-0.68  
D
P-SOT223-4-1  
Drain  
pin 2/4  
Gate  
pin1  
Source  
pin 3  
Type  
Package  
Ordering Code  
Tape and Reel Information Marking  
P-SOT223-4-1 Q67042-S4165  
BSP 316 P  
-
BSP316P  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-0.68  
-0.54  
A
T =70°C  
A
-2.72  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
6
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-0.68A, V =-48V, di/dt=-200A/µs, T =150°C  
jmax  
S
DS  
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
1.8  
GS  
W
tot  
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2002-07-24  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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