5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-261AA | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 0.48 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCP52 | ONSEMI |
类似代替  |
PNP 通用放大器 |
|
| BCP53-10T1G | ONSEMI |
类似代替 |
PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT |
|
| BF720T1 | ONSEMI |
类似代替 |
NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF720T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
0.1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA |
|
| BF720T3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor |
|
| BF720-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
0.05A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BF720TRL | NXP |
获取价格 |
0.05A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BF720TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BF720TRL13 | NXP |
获取价格 |
0.05A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BF721 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit |
|
| BF721 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| BF721E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN |
|
| BF721E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
