5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.68 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2.72 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP316PH6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP317 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| BSP317E6327 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BSP317P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSP317P_11 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSP317P-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP317PH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSP317Q67000-S94 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
