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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.16 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP318S | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated) |
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| BSP318S_08 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP318SH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP318SH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP318SL6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP318SL6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP319 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated) |
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| BSP31-T | NXP |
获取价格 |
1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
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| BSP31T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
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| BSP31TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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