5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSP318SL6327
BSP318SL6327 PDF预览

BSP318SL6327

更新时间： 2024-11-27 14:09:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 414K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSP318SL6327 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP318SL6327 数据手册

 浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSP318SL6327的Datasheet PDF文件第7页 
Rev 2.4  
BSP318S  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
• N-Channel  
Drain source voltage  
V
60  
0.09  
2.6  
V
DS  
• Enhancement mode  
Drain-Source on-state resistance R  
Ω
DS(on)  
• Avalanche rated  
• Logic Level  
Continuous drain current  
I
A
D
• dv/dt rated  
4
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
• Qualified according to AEC Q101  
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
3
•
2
1
VPS05163  
Marking  
Packaging  
Type  
Package  
Tape and Reel  
BSP318S  
Non dry  
BSP318S  
PG-SOT223 H6327: 1000 pcs/r  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
2.6  
Unit  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
I
A
D
I
10.4  
D puls  
T = 25 °C  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
60  
mJ  
AS  
I = 2.6 A, V = 25 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
Avalanche current,periodic limited by T  
I
2.6  
0.18  
6
A
jmax  
AR  
Avalanche energy, periodic limited by T  
E
mJ  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 2.6 A, V = 20 V, di/dt = 200 A/µs,  
S
DS  
T
= 150 °C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
GS  
P
1.8  
W
tot  
T = 25 °C  
A
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
,
T
-55... +150  
55/150/56  
°C  
j
stg  
ESD Class  
JESD22-A114-HBM  
Class 1b  
Page 1  
2012-11-28  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSP318SL6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP318SL6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP319 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
BSP31-T NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
BSP31T/R NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
BSP31TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP31-TAPE-13 NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31-TAPE-7 NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP31TRL NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31TRL13 YAGEO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

与BSP318SL6327相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证