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BSP318SL6327

更新时间： 2024-09-16 14:09:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 414K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP318SL6327 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP318SL6327 数据手册

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Rev 2.4  
BSP318S  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
• N-Channel  
Drain source voltage  
V
60  
0.09  
2.6  
V
DS  
• Enhancement mode  
Drain-Source on-state resistance R  
Ω
DS(on)  
• Avalanche rated  
• Logic Level  
Continuous drain current  
I
A
D
• dv/dt rated  
4
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
• Qualified according to AEC Q101  
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
3
•
2
1
VPS05163  
Marking  
Packaging  
Type  
Package  
Tape and Reel  
BSP318S  
Non dry  
BSP318S  
PG-SOT223 H6327: 1000 pcs/r  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
2.6  
Unit  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
I
A
D
I
10.4  
D puls  
T = 25 °C  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
60  
mJ  
AS  
I = 2.6 A, V = 25 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
Avalanche current,periodic limited by T  
I
2.6  
0.18  
6
A
jmax  
AR  
Avalanche energy, periodic limited by T  
E
mJ  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 2.6 A, V = 20 V, di/dt = 200 A/µs,  
S
DS  
T
= 150 °C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
GS  
P
1.8  
W
tot  
T = 25 °C  
A
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
,
T
-55... +150  
55/150/56  
°C  
j
stg  
ESD Class  
JESD22-A114-HBM  
Class 1b  
Page 1  
2012-11-28  
1234567...9

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与BSP318SL6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP318SL6327HTSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP319 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
BSP31-T NXP

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 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
BSP31T/R NXP

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 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
BSP31TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP31-TAPE-13 NXP

获取价格

 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31-TAPE-7 NXP

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 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31TC ZETEX

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BSP31TRL NXP

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 		1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP31TRL13 YAGEO

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