BSP317

更新时间： 2024-11-26 22:39:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
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描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

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BSP317 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.27	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.37 A	最大漏极电流 (ID)：	0.34 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP317 数据手册

BSP 317

SIPMOS Small-Signal Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= -0.8...-2.0 V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSP 317

-200 V

-0.37 A

SOT-223

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 317

Q67000-S94

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

-200

DGR

Ω

= 20 k

-200

Gate source voltage

Continuous drain current

T = 25 °C

-0.37

-1.48

1.8

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

Sep-12-1996

12 3 4 5 6 7...9

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