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BSP317PH6327XTSA1

更新时间： 2024-09-16 14:49:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 618K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP317PH6327XTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.62
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：0.43 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.72 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP317PH6327XTSA1 数据手册

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BSP317P  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
-250  
4
V
Ω
A
DS  
• P-Channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• dv/dt rated  
R
DS(on)  
I
-0.43  
D
PG-SOT223  
Drain  
pin 2/4  
4
Gate  
pin1  
x Qualified according to AEC Q101  
3
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Source  
pin 3  
2
1
VPS05163  
Type  
Package  
Tape and Reel Information Marking Packaging  
PG-SOT223  
BSP317P Non dry  
BSP317P  
H6327: 1000 pcs/reel  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-0.43  
-0.34  
A
T =70°C  
A
-1.72  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
6
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-0.43A, V =-200V, di/dt=-200A/µs, T =150°C  
jmax  
S
DS  
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
GS  
1.8  
W
tot  
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
,
T
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
ESD Class  
Class 1b  
JESD22-A114-HBM  
2.4  
Rev.
Page 1  
2012­04­02  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP317Q67000-S94 ETC

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 		TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
BSP318 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
BSP318E6327 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP318E-6327 INFINEON

获取价格

 		2.6A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
BSP318S INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
BSP318S_08 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP318SH6327 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP318SH6327XTSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSP318SL6327 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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