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BSP316PH6327XTSA1 PDF预览

BSP316PH6327XTSA1

更新时间： 2024-09-16 21:20:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 401K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOT223-4-1, 4 PIN

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BSP316PH6327XTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.6其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.68 A
最大漏极电流 (ID)：0.68 A最大漏源导通电阻：1.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：2.72 A参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP316PH6327XTSA1 数据手册

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BSP316P  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
-100  
1.8  
V
Ω
A
DS  
• P-Channel  
R
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
I
-0.68  
D
PG-SOT223-4-1  
• dv/dt rated  
Drain  
pin 2/4  
Gate  
pin1  
• Qualified according to AEC Q101  
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Source  
pin 3  
Type  
BSP316P  
Package  
Tape and Reel Information Marking Packaging  
BSP316P Non dry  
PG-SOT223-4-1  
H6327: 1000 pcs/reel  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-0.68  
-0.54  
A
T =70°C  
A
-2.72  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
6
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-0.68A, V =-48V, di/dt=-200A/µs, T =150°C  
jmax  
S
DS  
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
GS  
1.8  
W
tot  
T =25°C  
A
T , T  
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
ESD Class  
Class 1a  
JESD22-A114-HBM  
Rev. 2.0  
Page 1  
2016-05-30  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
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 		暂无描述
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BSP317P_11 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
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 		Transistor
BSP317PH6327 INFINEON

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