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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 1.6 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 24 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.68 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP315PL6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS® Small-Signal-Transistor |
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| BSP315PL6327HTSA1 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP316 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSP316E6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 100V, 2.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| BSP316E-6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 100V, 2.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| BSP316P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP316P_07 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP316PE6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature |
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| BSP316PH6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| BSP316PH6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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