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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.7 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP135L6906 | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP135 | INFINEON |
完全替代 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP125E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP125H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP125H6327XTSA1/SN | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| BSP125H6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP125L6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP125L6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP126 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSP126 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| BSP126 (KSP126) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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