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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A | 最大漏源导通电阻： | 17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP304T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 170MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSP308 | ETC |
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?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
|
| BSP30T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
|
| BSP30-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP30TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP30TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP31 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistors |
|
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