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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP31 | NXP |
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PNP medium power transistors |
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| BSP31 | STMICROELECTRONICS |
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MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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| BSP31 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BSP31 | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BSP31 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP31 | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
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| BSP31,115 | NXP |
获取价格 |
BSP31 - 60 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
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| BSP3-120 | ETC |
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3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced |
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| BSP315 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| BSP315E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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