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BSP31

更新时间： 2024-11-27 03:22:51
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1页 47K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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BSP31 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.15外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：20 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz最大关闭时间（toff）：650 ns
最大开启时间（吨）：500 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BSP31 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
BSP31  
BSP33  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
BSP31 – BSP41  
BSP33 – BSP43  
C
Device type in full  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
BSP31  
-70  
BSP33  
-90  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-60  
-80  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-2  
-1  
2
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
A
PTOT  
Tj:Tstg  
W
°C  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base BSP31 V(BR)CBO  
Breakdown Voltage BSP33  
-70  
-90  
V
V
IC=-100µA  
IC=-100µA  
Collector-Emitter BSP31 V(BR)CEO  
Breakdown Voltage BSP33  
-60  
-80  
V
IC=-10mA  
IC=-10mA  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
-5  
V
IE=-10µA  
Collector Cut-Off Current  
-100  
-50  
nA  
µA  
VCB=-60V  
VCB=-60V, Tamb=125°C  
Collector-Emitter Saturation VCE(sat)  
Voltage  
-0.25  
-0.5  
V
V
IC =-150mA, IB=-15mA  
IC =-500mA, IB=-50mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-1.0  
-1.2  
V
V
IC=-150mA, IB=-15mA  
IC =-500mA, IB=-50mA  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
30  
100  
50  
IC =-100µA, VCE=-5V  
IC =-100mA, VCE =-5V  
IC =-500mA, VCE =-5V  
300  
Collector Capacitance  
Emitter Capacitance  
Transition Frequency  
Cc  
Ce  
fT  
20  
pF  
VCB =-10V, f =1MHz  
VEB =-0.5V, f =1MHz  
120  
pF  
100  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f =35MHz  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
Ton  
Toff  
500  
650  
ns  
ns  
VCC=-20V, IC =-100mA  
IB1 =-IB2 =-5mA  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 62  
1

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与BSP31相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP31,115 NXP

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