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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP31,115 | NXP |
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BSP31 - 60 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
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| BSP3-120 | ETC |
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3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced |
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| BSP315 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSP315E6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP315E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP315P | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP315P | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| BSP315P_07 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP315P-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOSÃ Small-Signal-Transistor |
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| BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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