Datasheet > BSP31

BSP31

更新时间： 2024-11-05 22:39:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSP31 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.15
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BSP31 数据手册

BSP30/31

BSP32/33

MEDIUM POWER AMPLIFIER

ADVANCE DATA

■

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING

CIRCUITS

■

GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED

FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL

APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER

OUTPUT STAGE

NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41,

BSP42 AND BSP43 RESPECTIVELY

SOT-223

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

BSP30/BSP31

BSP32/BSP33

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 1KΩ)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

-70

-60

-70

-90

-80

-90

-5

-1

I_B

Base Current

-0.1

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

October 1995

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BSP31相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP31,115	NXP	获取价格	BSP31 - 60 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin
BSP3-120	ETC	获取价格	3-Pole LED Driver Ballast Surge Protectors, Enhanced
BSP315	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
BSP315E6327	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSP315E6433	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSP315P	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP315P	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
BSP315P_07	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP315P-E6327	INFINEON	获取价格	SIPMOSÃ Small-Signal-Transistor
BSP315PH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met