5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP308 | ETC |
获取价格 |
?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
|
| BSP30T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
|
| BSP30-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP30TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BSP30TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP31 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistors |
|
| BSP31 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER AMPLIFIER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
