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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP304A,126 | NXP |
类似代替  |
BSP304A - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSP254A,126 | NXP |
功能相似 |
BSP254A - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSP254A | NXP |
功能相似 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP304A,126 | NXP |
获取价格 |
BSP304A - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET TO-92 3-Pin |
|
| BSP304AAMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, TO-92 |
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| BSP304T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 170MA I(D) | TO-92VAR |
|
| BSP308 | ETC |
获取价格 |
?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
|
| BSP30T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
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| BSP30-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP30-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP30TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP30TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BSP30TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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