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BSP300H6327XUSA1

更新时间： 2024-11-06 19:02:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 393K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP300H6327XUSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：7.85Samacsys Description：Infineon BSP300H6327XUSA1 N-channel MOSFET, 190 mA, 800 V SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：36 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：0.19 A
最大漏源导通电阻：20 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.76 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP300H6327XUSA1 数据手册

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BSP300  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• V  
= 2.0... 4.0 V  
GS(th)  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
•
• Qualified according to AEC Q101  
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Pin 4  
D
•
Type  
Package  
PG-SOT223  
Marking  
VDS  
ID  
RDS(on)  
20  
BSP300  
800 V  
0.19 A  
Ω
BSP300  
Type  
BSP300  
RoHS compliant  
Tape and Reel Information Packaging  
H6327  
Dry  
Yes  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
0.19  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
0.76  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
Ω
I = 0.8 A, V = 50 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 105 mH, T = 25 °C  
36  
20  
j
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
1.8  
A
ESD Class  
Class 1a  
JESD22-A114-HBM  
Rev 2.2  
Page 1  
2012-11-29  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP300L6327 INFINEON

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