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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.28 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.19 A | 最大漏源导通电阻： | 20 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 255 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.76 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP300E6433 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300H6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300H6327XUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300L6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300L6327HUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP300L6433 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSP304 | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
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| BSP304A | NXP |
获取价格 |
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
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| BSP304A,126 | NXP |
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BSP304A - P-channel vertical D-MOS intermediate level FET TO-92 3-Pin |
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| BSP304AAMO | NXP |
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TRANSISTOR 170 mA, 300 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, TO-92 |
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