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BSP299H6327

更新时间： 2024-11-06 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 502K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BSP299H6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.26
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A
最大漏极电流 (ID)：0.4 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.6 A
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSP299H6327 数据手册

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BSP299  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• V  
= 2.1 ... 4.0 V  
GS(th)  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Pin 4  
D
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Type  
Package  
Marking  
VDS  
ID  
RDS(on)  
BSP 299  
500 V  
0.4 A  
4
Ω
SOT-223  
BSP299  
Type  
Pb-free  
Tape and Reel Information  
Packaging  
BSP 299  
Yes  
H6327: 1000 pcs / reel  
Dry  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
0.4  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
1.6  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
Ω
I = 1.2 A, R = 25  
D
GS  
T = 25 °C  
130  
20  
j
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
1.8  
A
ESD Class  
Class 1b  
JESD22-A114-HBM  
Rev 2.4  
1
2012-11­29  
1234567...10

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BSP299H6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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