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BSP299H6327XUSA1

更新时间： 2024-09-16 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 505K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP299H6327XUSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：0.4 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.6 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP299H6327XUSA1 数据手册

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BSP299  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• V  
= 2.1 ... 4.0 V  
GS(th)  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to AEC Q101  
Pin 1  
G
Pin 2  
D
Pin 3  
S
Pin 4  
D
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Type  
Package  
Marking  
VDS  
ID  
RDS(on)  
BSP 299  
500 V  
0.4 A  
4
Ω
SOT-223  
BSP299  
Type  
Pb-free  
Tape and Reel Information  
Packaging  
BSP 299  
Yes  
H6327: 1000 pcs / reel  
Dry  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
0.4  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
1.6  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
Ω
I = 1.2 A, R = 25  
D
GS  
T = 25 °C  
130  
20  
j
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
1.8  
A
ESD Class  
Class 1b  
JESD22-A114-HBM  
Rev 2.4  
1
2012-11­29  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP299Q67000-S225 INFINEON

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BSP300_08 INFINEON

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BSP300E6327 INFINEON

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