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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.6 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.54 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP193 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
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| BFP193_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor |
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| BFP193E6327 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFP193Q62702-F1282 | INFINEON |
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TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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| BFP193T | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP193T_08 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP193TRW | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP193TW | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP193W | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
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| BFP193W_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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