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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF1404ZS
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AUIRF1404ZS

更新时间： 2024-02-16 03:01:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 363K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF1404ZS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.01雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：160 A
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.0037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：710 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

AUIRF1404ZS 数据手册

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PD - 97460  
AUIRF1404Z  
AUIRF1404ZS  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF1404ZL  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
LowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
D
V(BR)DSS  
40V  
RDS(on) max.  
3.7m  
180A  
Ω
G
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
Automotive Qualified *  
S
160A  
Description  
D
D
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D
S
S
D
D
S
D
G
G
G
D2Pak  
TO-262  
AUIRF1404ZL  
TO-220AB  
AUIRF1404Z  
AUIRF1404ZS  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in  
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
180  
ID @ TC = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
120  
160  
710  
A
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
IDM  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
1.3  
± 20  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
VGS  
EAS  
330  
480  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
TJ  
mJ  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case )  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
02/19/2010  
1234567...15

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AUIRF1404ZS 替代型号

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AUIRF1404ZSTRL INFINEON

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