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AUIRF1405

更新时间： 2024-02-25 03:34:48
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页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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AUIRF1405 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：560 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：680 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRF1405 数据手册

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PD - 97691A  
AUTOMOTIVEGRADE  
AUIRF1405  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l AdvancedPlanarTechnology  
l LowOn-Resistance  
l Dynamicdv/dtRating  
l 175°COperatingTemperature  
l Fast Switching  
l FullyAvalancheRated  
l RepetitiveAvalancheAllowed  
up to Tjmax  
D
V(BR)DSS  
55V  
RDS(on) typ.  
max  
ID (Silicon Limited)  
4.6m  
5.3m  
169A  
G
S
ID (Package Limited)  
75A  
l Lead-Free,RoHSCompliant  
l AutomotiveQualified*  
D
Description  
Specifically designed for Automotive applications,  
this Stripe Planar design of HEXFET® Power  
MOSFETs utilizes the latest processing techniques to  
achievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit  
combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in Automotive and a wide variety of other applications.  
S
D
G
TO-220AB  
AUIRF1405  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in  
the specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
169  
118  
75  
Units  
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
A
I
@ T = 25°C  
C
D
IDM  
680  
PD @TC = 25°C  
330  
2.2  
Power Dissipation  
W
W/°C  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
V
mJ  
A
560  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
Thermal Resistance  
Units  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45  
–––  
RJC  
RCS  
RJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
62  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
10/10/11  
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