生命周期: | Transferred | 包装说明: | QFN-16 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.11 | 模拟集成电路 - 其他类型: | ANALOG CIRCUIT |
JESD-30 代码: | S-XQCC-N16 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 3 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | HVQCCN | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 0.9 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP2602GY | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP2602Y | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP2603GY | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP2603GY-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Small Package Outline | |
AP2603Y | ETC |
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P CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP2604GY | UNITPOWER |
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3A Ultra Low Dropout Linear Regulator | |
AP2604GY | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP2604GY-HF | A-POWER |
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Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge | |
AP2604Y | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
AP2605GY | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |