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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-F8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2610GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2611GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2611GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 2.5V Gate Drive, Small Size & Lower Profile |
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| AP2612GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Simple Drive Requirement |
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| AP2613GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge |
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| AP2613GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Small Size & Lower Profile |
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| AP2614GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance |
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| AP2615GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge |
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| AP2622GY | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP2622GY_12 | A-POWER |
获取价格 |
Low Gate Charge, Small Package Outline |
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