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AP2626GY

更新时间： 2024-11-17 04:06:23

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	92K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2626GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.81
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.072 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON

AP2626GY 数据手册

AP2626GY

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

72mΩ

3.3A

▼ Smaller Outline Package

▼ Surface mount package

▼ RoHS compliant

SOT-26

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

3.3

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

2.6

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.2

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

110

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200519062-1/4

12 3 4

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与AP2626GY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP2626GY-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Smaller Outline Package
AP2648	ETC	获取价格	Analog IC
AP26G40GEO-HF	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP-2702701%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-27027010%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-27027015%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-2702705%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-27271%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 27uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-272710%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 27uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-272715%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 27uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core