AP2625GY

更新时间： 2024-11-18 04:06:23

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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5页	96K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2625GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2625GY 数据手册

AP2625GY

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

185mΩ

- 2A

▼ Low Gate Drive

▼ Surface Mount Package

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

SOT-26

The SOT-26 package is widely used for commercial-industrial applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-2.0

-1.6

-20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

1.2

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

110

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201023073-1/4

12 3 4 5

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与AP2625GY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP2625GY-HF	A-POWER	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP2625Y	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2626GY	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2626GY-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Smaller Outline Package
AP2648	ETC	获取价格	Analog IC
AP26G40GEO-HF	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP-2702701%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-27027010%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-27027015%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
AP-2702705%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 270uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core