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AP2732GK-HF

更新时间： 2024-11-18 20:53:03

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富鼎先进 - A-POWER		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	59K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP2732GK-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2732GK-HF 数据手册

AP2732GK-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

26mΩ

8.6A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

SOT-223

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching, low on-

resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

8.6

6.8

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.7

Linear Derating Factor

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201011092

12 3 4

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