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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2761S-A-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2762I-H-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2762JB-A-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP2762R-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2762R-A-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2762S-A-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2763I-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2763I-A-HF | A-POWER |
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暂无描述 |
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| AP2763W-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2764AI | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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