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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP2761R-A
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AP2761R-A

更新时间： 2024-09-16 08:31:51
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2761R-A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP2761R-A 数据手册

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AP2761R-A  
Pb Free Plating Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Lower On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
650V  
1Ω  
D
S
▼ Fast Switching Characteristic  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ RoHS Compliant  
10A  
G
Description  
AP2761 series are specially designed as main switching devices for  
universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications.Both and TO-  
262 type provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag  
in the toughest power system with the best combination of fast  
switching,ruggedized design and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-262(R)  
The TO-262 package is universally preferred for all commercial-  
industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC  
converters for power applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
650  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±30  
V
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
10  
A
4.4  
A
18  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
104  
W
Linear Derating Factor  
Avalanche Current2  
0.8  
W/℃  
A
IAR  
10  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
℃
℃
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Max.  
Max.  
1.2  
62  
Rthj-a  
Data & specifications subject to change without notice  
200503061-1/4  
1234

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