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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 32 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2764I-A | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2765I-A-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP27C128-170V05 | INTEL |
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OTP ROM, 16KX8, 170ns, CMOS, PDIP28, |
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| AP27C128-200V05 | ETC |
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x8 EPROM |
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| AP27C128-200V10 | ETC |
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x8 EPROM |
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| AP27C128-250V05 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| AP27C128-250V10 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 16KX8, 250ns, CMOS, PDIP28, |
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| AP27C256-120V10 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| AP27C256-150V10 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, |
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| AP27C256-170V10 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 170ns, CMOS, PDIP28, |
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