AP2610GY-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2610GY-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2610GY-HF 数据手册

AP2610GY-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

90mΩ

3.5A

▼ Small Footprint & Low Profile Package

▼ Halogen Free & RoHS Compliant Product

SOT-26

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The S0T-26 package is widely used for commercial-industrial surface

mount applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

+20

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

3.5

2.8

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201008231

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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