AP2622GY

更新时间： 2024-09-15 08:31:51

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2622GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.52 A	最大漏源导通电阻：	1.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2622GY 数据手册

AP2622GY

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

50V

1.8Ω

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Package

▼ RoHS Compliant

520mA

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial

applications.

SOT-26

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

±20

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current^1,2

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

520

410

1.5

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

0.8

Linear Derating Factor

0.006

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

150

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200624051-1/4

12 3 4

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