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AP2612GY-HF

更新时间： 2024-09-15 12:52:07

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		栅极栅极驱动
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Capable of 1.8V Gate Drive, Simple Drive Requirement

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AP2612GY-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON

AP2612GY-HF 数据手册

AP2612GY-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Capable of 1.8V Gate Drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

35mΩ

▼ Simple Drive Requirement

▼ Surface Mount Device

▼ RoHS Compliant

SOT-26

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The S0T-26 package is widely used for commercial-industrial surface

mount applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

4.7

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201103241

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP2613GY-HF	A-POWER	获取价格	Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge
AP2613GYT-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 1.8V Gate Drive, Small Size & Lower Profile
AP2614GY-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance
AP2615GY-HF	A-POWER	获取价格	Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge
AP2622GY	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP2622GY_12	A-POWER	获取价格	Low Gate Charge, Small Package Outline
AP2622GY-HF	A-POWER	获取价格	Low Gate Charge, Small Package Outline, Surface Mount Package
AP2622GY-HF_14	A-POWER	获取价格	Low Gate Charge
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AP2623Y	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET