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AP2603GY-HF

更新时间： 2024-11-21 12:52:07

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		驱动
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
Simple Drive Requirement, Small Package Outline

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AP2603GY-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2603GY-HF 数据手册

AP2603GY-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

65mΩ

-5A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

SOT-26

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to

achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

effectiveness device.

The SOT-26 package is widely used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+12

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V³

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

-5

-4

-20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201208305

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP2605GY-HF	A-POWER	获取价格	TRANSISTOR 4 A, 30 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI
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AP2606AGY-HF	A-POWER	获取价格	Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge