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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.92 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP2608AGY-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2608GY | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2609GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Package Outline |
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| AP2609GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile |
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| AP2610GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP2611GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP2611GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 2.5V Gate Drive, Small Size & Lower Profile |
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| AP2612GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Simple Drive Requirement |
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| AP2613GY-HF | A-POWER |
获取价格 |
Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge |
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| AP2613GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Small Size & Lower Profile |
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