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AP2603GY

更新时间： 2024-11-18 06:37:15

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	76K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2603GY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP2603GY 数据手册

AP2603GY

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

65mΩ

-5.0A

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

TSOP-6

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques

to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The TSOP-6 package is universally used for all commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

-5

-4

-20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200129043

12 3 4

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