5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.68 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDN342P | FAIRCHILD |
功能相似  |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
|
| FDN340P | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
|
| FDN338P | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AO3413 (KO3413) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
|
| AO3413_10 | AOS |
获取价格 |
20V P-Channel MOSFET |
|
| AO3413A | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| AO3414 | TYSEMI |
获取价格 |
VDS (V) = 20V ID= 4.2A (VGS=4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 63m (VGS = 2.5V) |
|
| AO3414 | AOS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| AO3414 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| AO3414 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Fast switching speed |
|
| AO3414 | HC |
获取价格 |
SOT-23-3L |
|
| AO3414 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| AO3414 (KO3414) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
