AO3416

更新时间： 2024-11-21 12:51:27

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	417K
描述
20V N-Channel MOSFET

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AO3416 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.9	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO3416 数据手册

AO3416

20V N-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

20V

The AO3416 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as

a load switch or in PWM applications. It is ESD

protected.

I_D(at V_GS=4.5V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

R_DS(ON)(at V_GS= 2.5V)

R_DS(ON)(at V_GS= 1.8V)

6.5A

< 22mΩ

< 26mΩ

< 34mΩ

ESD protected

SOT23

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±8

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

6.5

5.2

Continuous Drain

Current

I_D

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

P_D

1.4

T_A=25°C

T_A=70°C

°C

Power Dissipation ^B

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

100

125

R_θJL

Rev 5: July 2010

www.aosmd.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO3416 (KO3416)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
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