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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDN340P
FDN340P PDF预览

FDN340P

更新时间： 2024-09-23 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 274K
描述
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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FDN340P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.04
Samacsys Description：Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SuperSOT配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：70 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDN340P 数据手册

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December 1999  
FDN340P  
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
–2 A, 20 V.  
RDS(ON) = 0.07 W @ V GS = –4.5 V  
RDS(ON) = 0.11 W @ V GS = –2.5 V.  
RDS(ON) = 0.210 W @ V GS = –1.8 V.  
· Low gate charge (8nC typical).  
These devices are well suited for portable electronics  
applications: Load switching and power management,  
battery charging circuits, and DC/DC conversion.  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
· High power version of industry Standard SOT-23  
package. Identical pin-out to SOT-23 with 30%  
higher power handling capability.  
D
D
TM  
S
SuperSOT -3  
G
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–20  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±8  
–2  
V
A
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–10  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
PD  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
340  
FDN340P  
7’’  
8mm  
3000 units  
Ó1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDN340P Rev C (W)  
12345678

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FDN340P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AO3415 AOS

功能相似

 20V P-Channel MOSFET
AO3419 AOS

功能相似

 20V P-Channel MOSFET
AO3413 AOS

功能相似

 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与FDN340P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN340P_07 FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench?MOSFET
FDN340P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340PL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN340PS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN342P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDN342P TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3
FDN342P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-2A，80m
FDN342PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN352AP FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, PowerTrench
FDN352AP ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ

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