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AO3415A

更新时间： 2024-09-24 17:15:31

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	589K
描述
漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4A;栅极-源极阈值电压:1V @ 250uA;漏源导通电阻:36mΩ@-4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:350mW;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±8

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AO3415A 数据手册

UMW

UMW AO3415A

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

UMW AO3415A

P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SOT-23

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

@-4.5V

-4A

-20

@-2.5V

60mΩ

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

APPLICATION

Load switch and in PWM applicatopns

FEATURE

Excellent R_DS(ON), low gate charge,low gate voltages

Equivalent Circuit

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Value

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-20

±8

Continuous Drain Current (t≤10s)

Maximum Power Dissipation (t≤10s)

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-4.0

P_D

0.35

R_θJA

T_J

357

℃/W

℃

150

T_STG

-55 ~+150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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